19MT050XF 데이터 시트
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 HEXFET® FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 31A Rds On (최대) @ Id, Vgs 220mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 160nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7210pF @ 25V 전력-최대 1140W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 16-MTP Module 공급자 장치 패키지 16-MTP |
