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1HN04CH-TL-W 데이터 시트

1HN04CH-TL-W 데이터 시트
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ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
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1HN04CH-TL-W

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

270mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 140mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-CPH

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3