1N8030-GA 데이터 시트
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 750mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.39V @ 750mA 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-257-3 공급자 장치 패키지 TO-257 작동 온도-접합 -55°C ~ 250°C |
