1N8031-GA 데이터 시트
GeneSiC Semiconductor 제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-276AA 공급자 장치 패키지 TO-276 작동 온도-접합 -55°C ~ 250°C |