2N6028RLRPG 데이터 시트
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 50µA 전류-피크 2µA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 50µA 전류-피크 2µA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 25µA 전류-피크 150nA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압 40V 전력 손실 (최대) 300mW 전압-출력 11V 전압-오프셋 (Vt) 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao) 10nA 현재-계곡 (Iv) 50µA 전류-피크 2µA 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
