2N7639-GA 데이터 시트
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) (155°C) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 15A Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1534pF @ 35V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 172W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 225°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-257 패키지 / 케이스 TO-257-3 |
