2SJ687-ZK-E1-AY 데이터 시트
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Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
2SJ687-ZK-E1-AY
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 57nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4400pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-252 (MP-3ZK) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
