2SK4016(Q) 데이터 시트
2SK4016(Q) 데이터 시트
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Toshiba Semiconductor and Storage
웹 사이트: http://www.toshiba.com/taec/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
2SK4016(Q)
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 50W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220SIS 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
