2SK4151TZ-E 데이터 시트
2SK4151TZ-E 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 95.11 KB
Renesas Electronics America
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
2SK4151TZ-E
|
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.95Ohm @ 500mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.5nC @ 4V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 98pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 750mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
