4N26(SHORT 데이터 시트
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소) 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대) - 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 2µs, 200µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor with Base 전압-출력 (최대) 30V 전류-출력 / 채널 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 80mA Vce 포화 (최대) 500mV 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 6-DIP |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소) 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대) - 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 2µs, 200µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor with Base 전압-출력 (최대) 30V 전류-출력 / 채널 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 80mA Vce 포화 (최대) 500mV 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 6-DIP |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 채널 수 1 전압-절연 2500Vrms 전류 전송 비율 (최소) 20% @ 10mA 전류 전송 비율 (최대) - 켜기 / 끄기 시간 (일반) - 상승 / 하강 시간 (일반) 2µs, 200µs 입력 유형 DC 출력 유형 Transistor with Base 전압-출력 (최대) 30V 전류-출력 / 채널 100mA 전압-순방향 (Vf) (통상) 1.15V 전류-DC 순방향 (If) (최대) 80mA Vce 포화 (최대) 500mV 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 6-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 6-DIP |
