APT5SM170B 데이터 시트
APT5SM170B 데이터 시트
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Microsemi
웹 사이트: https://www.microsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
APT5SM170B
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.25Ohm @ 2.5A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3.2V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 249pF @ 1000V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 65W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
