APTC60DAM35T1G 데이터 시트
APTC60DAM35T1G 데이터 시트
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Microsemi
웹 사이트: https://www.microsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
APTC60DAM35T1G
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 35mOhm @ 72A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 5.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 518nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 416W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP1 패키지 / 케이스 SP1 |
