APTM100A46FT1G 데이터 시트
APTM100A46FT1G 데이터 시트
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Microsemi
웹 사이트: https://www.microsemi.com/
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APTM100A46FT1G
Microsemi 제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A Rds On (최대) @ Id, Vgs 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 260nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6800pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |