APTM120U10DAG 데이터 시트
APTM120U10DAG 데이터 시트
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Microsemi
웹 사이트: https://www.microsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
APTM120U10DAG
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1100nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 28900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3290W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP6 패키지 / 케이스 SP6 |
