APTM20UM09SG 데이터 시트
APTM20UM09SG 데이터 시트
총 페이지: 7
크기: 285.29 KB
Microsemi
웹 사이트: https://www.microsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
APTM20UM09SG
|
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 217nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12300pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 780W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 Module 패키지 / 케이스 J3 Module |
