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APTM50AM19STG 데이터 시트

APTM50AM19STG 데이터 시트
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Microsemi
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APTM50AM19STG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

492nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22400pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4