APTM60H23FT1G 데이터 시트
APTM60H23FT1G 데이터 시트
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Microsemi
웹 사이트: https://www.microsemi.com/
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APTM60H23FT1G
Microsemi 제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 276mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5316pF @ 25V 전력-최대 208W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |