Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

AUIRFR120ZTRL 데이터 시트

AUIRFR120ZTRL 데이터 시트
총 페이지: 12
크기: 703.25 KB
Infineon Technologies
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: AUIRFR120ZTRL
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 1
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 2
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 3
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 4
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 5
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 6
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 7
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 8
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 9
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 10
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 11
AUIRFR120ZTRL 데이터 시트 페이지 12
AUIRFR120ZTRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63