BC212L_J35Z 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 200MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
