BR25G640F-3GE2 데이터 시트
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.6V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.6V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) 공급자 장치 패키지 8-MSOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.6V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP-J |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.6V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 VSON008X2030 |
