BR93H76RFVM-2CTR 데이터 시트
Rohm Semiconductor 제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (512 x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 4ms 접근 시간 - 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) 공급자 장치 패키지 8-MSOP |
Rohm Semiconductor 제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (512 x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 4ms 접근 시간 - 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP-J |
Rohm Semiconductor 제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (512 x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 4ms 접근 시간 - 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
Rohm Semiconductor 제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (512 x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 4ms 접근 시간 - 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP-B |