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BS2103F-E2 데이터 시트

BS2103F-E2 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
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BS2103F-E2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

60mA, 130mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

200ns, 100ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP