BS2103F-E2 데이터 시트
BS2103F-E2 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
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BS2103F-E2
Rohm Semiconductor 제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH 1V, 2.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 60mA, 130mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 200ns, 100ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |