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BSM300D12P2E001 데이터 시트

BSM300D12P2E001 데이터 시트
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Rohm Semiconductor
웹 사이트: https://www.rohm.com/
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BSM300D12P2E001

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 68mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

35000pF @ 10V

전력-최대

1875W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module