BSO215C 데이터 시트
BSO215C 데이터 시트
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Infineon Technologies
웹 사이트: https://www.infineon.com
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
BSO215C
Infineon Technologies 제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 10µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 246pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |