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BSO615CT 데이터 시트

BSO615CT 데이터 시트
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Infineon Technologies
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BSO615CT

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

PG-DSO-8