BSP317PL6327HTSA1 데이터 시트
|
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 262pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 262pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 430mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 430mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 262pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
