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BSS816NW L6327 데이터 시트

BSS816NW L6327 데이터 시트
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Infineon Technologies
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BSS816NW L6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 1.4A, 2.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

750mV @ 3.7µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 2.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323