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BZX55C9V1_T50R 데이터 시트

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BZX55C9V1_T50R 데이터 시트 페이지 4
BZX55C9V1_T50R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C9V1_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C9V1_T26A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C8V2_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C7V5_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C6V8_T50R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C6V8_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C6V8_T26A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C6V2_T50R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C5V6_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±7%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C5V6_T26A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±7%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX55C5V1_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±6%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35