CAT25160HU2I-GT3 데이터 시트
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-uDFN (2x2) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-TDFN (2x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (1K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-UFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-uDFN (2x2) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (1K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 10MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-TDFN (2x3) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 8Kb (1K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 20MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
