DF11MR12W1M1B11BOMA1 데이터 시트
DF11MR12W1M1B11BOMA1 데이터 시트
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Infineon Technologies
웹 사이트: https://www.infineon.com
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
DF11MR12W1M1B11BOMA1
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 125nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3950pF @ 800V 전력-최대 20mW 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
