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DMG1013T-7 데이터 시트

DMG1013T-7 데이터 시트
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Diodes Incorporated
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DMG1013T-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

460mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

700mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.622nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

59.76pF @ 16V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

270mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-523

패키지 / 케이스

SOT-523