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DMN1017UCP3-7 데이터 시트

DMN1017UCP3-7 데이터 시트
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Diodes Incorporated
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DMN1017UCP3-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 3.3V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 5A, 3.3V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 3.3V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1503pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.47W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

X3-DSN1010-3

패키지 / 케이스

3-XDFN