DMN30H4D0LFDE-13 데이터 시트
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 550mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 187.3pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 630mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type E) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 550mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 187.3pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 630mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type E) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
