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DMP2541UCB9-7 데이터 시트

DMP2541UCB9-7 데이터 시트
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Diodes Incorporated
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DMP2541UCB9-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

940mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 155°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-WLB1515-9

패키지 / 케이스

9-UFBGA, WLBGA