DMP56D0UFB-7 데이터 시트
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.58nC @ 4V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50.54pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 425mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-DFN1006 (1.0x0.6) 패키지 / 케이스 3-UFDFN |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.58nC @ 4V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50.54pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 425mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-DFN1006 (1.0x0.6) 패키지 / 케이스 3-UFDFN |
