DMT2004UFDF-13 데이터 시트
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 53.7nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1683pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 53.7nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1683pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 800mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
