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EPC2106ENGRT 데이터 시트

EPC2106ENGRT 데이터 시트
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EPC
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: EPC2106ENGRT, EPC2106
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제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

EPC2106

EPC

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die