FCMT125N65S3 데이터 시트
FCMT125N65S3 데이터 시트
총 페이지: 10
크기: 303.41 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
FCMT125N65S3
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SuperFET® III FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1920pF @ 400V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 181W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 4-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스 4-PowerTSFN |
