FDT3612 데이터 시트
FDT3612 데이터 시트
총 페이지: 5
크기: 546.42 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
FDT3612
![FDT3612 데이터 시트 페이지 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/116/fdt3612-0001.webp)
![FDT3612 데이터 시트 페이지 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/116/fdt3612-0002.webp)
![FDT3612 데이터 시트 페이지 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/116/fdt3612-0003.webp)
![FDT3612 데이터 시트 페이지 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/116/fdt3612-0004.webp)
![FDT3612 데이터 시트 페이지 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/116/fdt3612-0005.webp)
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 632pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |