FESE8JT-E3/45 데이터 시트
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Vishay Semiconductor Diodes Division
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
FESE8JT-E3/45, FESE8HT-E3/45





제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 500V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 500V 커패시턴스 @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |