FGD3N60LSDTM-T 데이터 시트
FGD3N60LSDTM-T 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 886.28 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.:
FGD3N60LSDTM-T, FGD3N60LSDTM
|
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전류-수집기 펄스 (Icm) 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A 전력-최대 40W 에너지 전환 250µJ (on), 1mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 12.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 40ns/600ns 테스트 조건 480V, 3A, 470Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr) 234ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252, (D-Pak) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 6A 전류-수집기 펄스 (Icm) 25A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A 전력-최대 40W 에너지 전환 250µJ (on), 1mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 12.5nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 40ns/600ns 테스트 조건 480V, 3A, 470Ohm, 10V 역 복구 시간 (trr) 234ns 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 D-Pak |
