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FJ4B01110L1 데이터 시트

FJ4B01110L1 데이터 시트
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Panasonic Electronic Components
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FJ4B01110L1

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

153mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 598µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

226pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

340mW (Ta)

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

ALGA004-W-0606-RA01

패키지 / 케이스

4-XFLGA, CSP