FJ4B01120L1 데이터 시트
FJ4B01120L1 데이터 시트
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Panasonic Electronic Components
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
FJ4B01120L1
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제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 51mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 814pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 370mW (Ta) 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 ULGA004-W-1010-RA01 패키지 / 케이스 4-XFLGA, CSP |
