FMM110-015X2F 데이터 시트
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제조업체 IXYS 시리즈 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 53A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 150nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8600pF @ 25V 전력-최대 180W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
