Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

FQB1P50TM 데이터 시트

FQB1P50TM 데이터 시트
총 페이지: 9
크기: 930.47 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: FQB1P50TM
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 1
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 2
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 3
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 4
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 5
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 6
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 7
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 8
FQB1P50TM 데이터 시트 페이지 9
FQB1P50TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB