Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

FQPF2N60C 데이터 시트

FQPF2N60C 데이터 시트
총 페이지: 12
크기: 1,596.59 KB
ON Semiconductor
웹 사이트: http://www.onsemi.com/
이 데이터 시트는 2 부품 번호를 다룹니다.: FQPF2N60C, FQP2N60C
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 1
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 2
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 3
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 4
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 5
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 6
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 7
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 8
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 9
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 10
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 11
FQPF2N60C 데이터 시트 페이지 12
FQPF2N60C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FQP2N60C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.7Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

235pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3