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GA08JT17-247 데이터 시트

GA08JT17-247 데이터 시트
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GeneSiC Semiconductor
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GA08JT17-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc) (90°C)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 8A

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247AB

패키지 / 케이스

TO-247-3