GA10SICP12-263 데이터 시트
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GeneSiC Semiconductor
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
GA10SICP12-263
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제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 10A Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1403pF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 170W (Tc) 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
