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GA35XCP12-247 데이터 시트

GA35XCP12-247 데이터 시트
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GeneSiC Semiconductor
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GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

35A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

800V, 35A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

36ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AB