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GB01SLT12-252 데이터 시트

GB01SLT12-252 데이터 시트
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GeneSiC Semiconductor
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GB01SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

69pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C